氮化铝镓基深紫外发光二极管的研究进展.docx

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2024-11-30 发布于北京
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09000021

第61卷第9期/2024年5月/激光与光电子学进展

综述

氮化铝镓基深紫外发光二极管的研究进展

李煜1，黄涌2*，李渊3，江浩4

广东技术师范大学电子与信息学院，广东广州510665；

广东技术师范大学广东工业实训中心，广东广州510665；

华南师范大学半导体科学与技术学院，广东广州510631；

广东技术师范大学自动化学院，广东广州510665

摘要目前的氮化铝镓（AlGaN）基深紫外发光二极管（LED）与已全面商业化的氮化物蓝光LED相比，其外量子效率（EQE）仍旧处于较低水平。首先介绍了AlGaN基深紫外LED的发展现状，并分析了导致EQE低的原因。然后再分别从载流子注入效率、载流子辐射复合效率和光提取效率三个方面阐述了近年来AlGaN基深紫外LED在提高EQE方向上的研究进展。最后探讨了AlGaN基深紫外LED目前面临的挑战及其未来的发展机遇。

关键词氮化铝镓基深紫外发光二极管；外量子效率；注入效率；辐射复合效率；光提取效率

中图分类号TN312+.8文献标志码ADOI：10.3788/LOP231080

ResearchProgressofAluminumGalliumNitrideBasedDeepUltravioletLightEmittingDiodes

LiYu1,HuangYong2*,LiYuan3,JiangHao4

SchoolofElectronicsandInformation,GuangdongPolytechnicNormalUniversity,

Guangzhou510665,Guangdong,China;

GuangdongIndustrialTrainingCenter,GuangdongPolytechnicNormalUniversity,

Guangzhou510665,Guangdong,China;

SchoolofSemiconductorScienceandTechnology,SouthChinaNormalUniversity,

Guangzhou510631,Guangdong,China;

SchoolofAutomation,GuangdongPolytechnicNormalUniversity,Guangzhou510665,Guangdong,China

AbstractComparedtofullycommercializednitridebluelightlightemittingdiode(LED),theexternalquantumefficiency(EQE)ofcurrentAluminumgalliumnitride(AlGaN)baseddeepultravioletLEDisstillatarelativelylowlevel.ThisreviewfirstintroducesthecurrentdevelopmentstatusofAlGaNbaseddeepultravioletLEDandanalyzesthereasonsforlowEQE.Then,theresearchprogressinimprovingtheEQEdirectionofAlGaNbaseddeepultravioletLEDinrecentyearsiselaboratedfromthreeaspects:carrierinjectionefficiency,carrierradiationrecombinationefficiency,andlightextractionefficiency.Finally,thecurrentchallengesandfuturedevelopmentopportunitiesofAlGaNbaseddeepultravioletLEDweredisc