高考物理二轮总复习课后习题专题3 电场与磁场 专题分层突破练8 磁场 带电粒子在磁场中的运动.docVIP

第PAGE6页共NUMPAGES8页

专题分层突破练8磁场带电粒子在磁场中的运动

A组

1.(多选)(广东广州一模)如图所示,高压输电线上使用abcd正方形间隔棒支撑导线L1、L2、L3、L4,目的是固定导线间距,防止导线相碰。四条导线及正方形abcd的几何中心均为O,当四根导线通有等大同向电流时,下列说法正确的是()

A.几何中心O点的磁感应强度不为零

B.几何中心O点的磁感应强度为零

C.L1对L2的安培力小于L1对L3的安培力

D.L1所受安培力的方向沿正方形的对角线ac方向

2.(广东卷)如图所示,一个立方体空间被对角平面MNPQ划分成两个区域,两区域分布有磁感应强度大小相等、方向相反且与z轴平行的匀强磁场。一质子以某一速度从立方体左侧垂直yOz平面进入磁场,并穿过两个磁场区域。下列关于质子运动轨迹在不同坐标平面的投影,可能正确的是()

3.(广东深圳二模)如图所示是一种电磁炮简易模型。间距为L的平行导轨水平放置,导轨间存在竖直方向、磁感应强度为B的匀强磁场,导轨一端接电动势为E、内阻为r的电源。带有炮弹的金属棒垂直放在导轨上,金属棒电阻为R,导轨电阻不计。通电后棒沿图示方向发射。则()

A.磁场方向竖直向下

B.闭合开关瞬间,安培力的大小为BEL

C.导轨越长,炮弹的出射速度一定越大

D.若同时将电流和磁场方向反向,炮弹将沿图中相反方向发射

4.(北京延庆一模)如图所示,边长为L的正方形区域abcd内有垂直纸面向里的匀强磁场,一带电粒子从ad边的中点M垂直于ad边以一定速度射入磁场,仅在洛伦兹力的作用下,正好从ab边中点N射出磁场。忽略粒子受到的重力,下列说法正确的是()

A.若粒子射入磁场的速度增大为原来的2倍,粒子将从b点射出

B.若粒子射入磁场的速度增大为原来的2倍,粒子在磁场中运动的时间也增大为原来的2倍

C.若磁感应强度的大小增大为原来的2倍,粒子将从a点射出

D.若磁感应强度的大小增大为原来的2倍,粒子在磁场中运动的时间也增大为原来的2倍

5.(广东广州一模)如图所示,虚线内有垂直纸面的匀强磁场,acb是半圆,圆心是O,半径为r,∠bOc=60°,现有一质量为m、电荷量为+q的离子,以速度v沿半径Oc射入磁场,从bd边垂直边界离开磁场,则()

A.离子做圆周运动的半径为2r

B.离子离开磁场时距b点为3r

C.虚线内的磁感应强度大小为mv

D.离子在磁场中的运动时间为5

6.(多选)(河北吴桥中学期中)如图所示,在直线AB上方存在着范围足够大、方向垂直于纸面向里的匀强磁场。一带电粒子从O点以速度v0沿垂直于AB的方向进入磁场,经过t时间运动到磁场中的C点。已知O、C连线与初速度v0的夹角为θ,不计粒子的重力,下列说法正确的是()

A.带电粒子从O点运动至C点的过程中,速度偏转角为θ

B.带电粒子在磁场中运动的时间为πt

C.带电粒子在磁场中运动的轨迹直径为v

D.若仅增大粒子的入射速度大小,经过t2

B组

7.(多选)(广东深圳二调)如图所示为地球赤道剖面图,地球半径为R,把地面上方高度为R2

A.粒子带正电

B.轨迹半径为5R

C.粒子的比荷为v

D.若粒子入射速度减小,在该磁场区域的运动时间增大

8.(多选)(河北石家庄质检)如图所示,边长为0.64m的正方形虚线框内有磁感应强度B=0.3T的匀强磁场,方向垂直于纸面向外。在正方形中央处有一个点状的放射源P,它在纸面内同时向各个方向均匀连续发射大量相同的粒子,粒子速度大小均为v=3.0×106m/s,比荷qm=5.0×107

A.粒子在磁场中运动的最短时间为53π135×10-7

B.粒子在磁场中运动的最长时间为2π3×10-7

C.正方形边界上有粒子射出的区域总长为1.6m

D.稳定后单位时间内射出磁场的粒子数与单位时间内粒子源发射的总粒子数之比为1∶2

9.(广东广州二模)如图所示,边长为L的正方形abcd区域内有垂直纸面向外的匀强磁场,磁感应强度大小为B,当电荷量为+q的粒子从ab边中点O沿纸面垂直于ab边射入磁场区域时,记录到粒子从ad边射出,则这些粒子进入磁场时的动量p满足()

A.qBL4≤p≤

B.qBL4

C.qBL≤p≤5qBL

D.p≤qBL4或p≥

10.(广东中山期末)如图所示是一同学设计的测量带电粒子比荷的装置,AB和A1B1是平行板电容器的两个极板,板间电压为U0,AB极板中心位置有一小孔。某种带电粒子从紧靠极板A1B1中心处由静止释放,经电场加速后从AB极板正中间垂直AB射入四分之一环形区域,环形区域一端和极板AB相连,另一端CD和光屏相连,光屏中心为P1,内环AC和外环BD用轻薄传导材料制成,当有带电粒子附着时会被即刻导走,不会形成电荷聚集,不会在环形区域附近