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MOS管基础知识单选题100道及答案解析

1.MOS管的全称是（）

A.金属-氧化物-半导体场效应管

B.金属-氧化硅-半导体场效应管

C.金属-氧化物-绝缘体场效应管

D.金属-氧化层-半导体场效应管

答案：A

解析：MOS管的全称是金属-氧化物-半导体场效应管。

2.MOS管主要分为（）类型

A.N沟道和P沟道

B.增强型和耗尽型

C.以上两种分类都有

D.只有增强型

答案：C

解析：MOS管按照沟道类型分为N沟道和P沟道，按照工作模式分为增强型和耗尽型。

3.增强型MOS管的开启电压（）

A.大于0

B.小于0

C.等于0

D.不确定

答案：A

解析：增强型MOS管的开启电压大于0。

4.耗尽型MOS管的开启电压（）

A.大于0

B.小于0

C.等于0

D.可为正、负或零

答案：D

解析：耗尽型MOS管的开启电压可为正、负或零。

5.在N沟道增强型MOS管中，当栅源电压（）开启电压时，管子导通。

A.大于

B.小于

C.等于

D.以上都不对

答案：A

解析：在N沟道增强型MOS管中，栅源电压大于开启电压时，管子导通。

6.在P沟道增强型MOS管中，当栅源电压（）开启电压时，管子导通。

A.大于

B.小于

C.等于

D.以上都不对

答案：B

解析：在P沟道增强型MOS管中，栅源电压小于开启电压时，管子导通。

7.MOS管的栅极电流（）

A.较大

B.较小

C.几乎为0

D.取决于工作状态

答案：C

解析：MOS管的栅极电流几乎为0，输入电阻极高。

8.以下关于MOS管输出特性曲线的描述，错误的是（）

A.分为三个区域

B.可变电阻区、饱和区和截止区

C.饱和区对应恒流特性

D.可变电阻区的斜率不变

答案：D

解析：可变电阻区的斜率是变化的。

9.MOS管的跨导反映了（）

A.栅源电压对漏极电流的控制能力

B.栅漏电压对漏极电流的控制能力

C.漏源电压对漏极电流的控制能力

D.以上都不对

答案：A

解析：跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。

10.当MOS管工作在截止区时，（）

A.漏极电流为0

B.栅源电压大于开启电压

C.栅源电压小于开启电压

D.以上都不对

答案：A

解析：工作在截止区时，漏极电流为0。

11.对于N沟道耗尽型MOS管，当栅源电压为0时，漏极电流（）

A.为0

B.不为0

C.不确定

D.以上都不对

答案：B

解析：N沟道耗尽型MOS管，栅源电压为0时，漏极电流不为0。

12.以下哪种情况会导致MOS管的阈值电压发生变化（）

A.温度变化

B.沟道长度变化

C.栅氧化层厚度变化

D.以上都是

答案：D

解析：温度、沟道长度、栅氧化层厚度等变化都会导致MOS管的阈值电压改变。

13.MOS管的小信号模型中，输出电阻（）

A.很小

B.很大

C.为0

D.不确定

答案：B

解析：MOS管的小信号模型中，输出电阻很大。

14.在MOS管的放大电路中，共源极放大电路的特点是（）

A.输入电阻高，输出电阻低

B.输入电阻低，输出电阻高

C.输入电阻高，输出电阻高

D.输入电阻低，输出电阻低

答案：C

解析：共源极放大电路输入电阻高，输出电阻高。

15.共漏极放大电路又称为（）

A.源极跟随器

B.共射极放大电路

C.共基极放大电路

D.以上都不对

答案：A

解析：共漏极放大电路又称为源极跟随器。

16.以下哪种电路的电压增益小于1但接近于1（）

A.共源极放大电路

B.共漏极放大电路

C.共栅极放大电路

D.以上都不对

答案：B

解析：共漏极放大电路的电压增益小于1但接近于1。

17.在MOS管的开关电路中，当输入为高电平时，MOS管处于（）

A.导通状态

B.截止状态

C.不确定状态

D.以上都不对

答案：A

解析：输入为高电平时，MOS管通常处于导通状态。

18.MOS管在数字电路中主要用于（）

A.存储数据

B.逻辑运算

C.放大信号

D.以上都是

答案：B

解析：MOS管在数字电路中主要用于逻辑运算。

19.以下关于CMOS电路的特点，错误的是（）

A.静态功耗低

B.抗干扰能力强

C.工作速度慢

D.集成度高

答案：C

解析：CMOS电路工作速度不慢。

20.在CMOS反相器中，当输入为高电平时，PMOS管处于（）

A.导通状态

B.截止状态