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摘要
硒化亚锡（SnSe）作为一种Ⅳ主族金属硫属化合物具有层状正交的晶体结构，
带隙值在0.9eV-1.3eV之间，呈P型导电特性，对环境友好，自然界中储量较
大。其二维材料具有可调节的带隙，带隙值与传统半导体材料硅相近，所以在紫
外、可见以及近红外波段内都有较强的光吸收，在光探测领域具有极大潜力。本
文利用化学气相沉积技术（CVD）制备了单晶SnSe纳米片，并在其基础上构建
了低维光电探测器件。在对材料及器件进行表征和性能研究的过程中，观察到材
料内部本征空位缺陷所导致的声子
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