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摘要
不同表面官能团碳点的制备及其气敏特性的研究
摘要
近年来,对气敏材料利用各种改性手段使得金属氧化物半导体气体传感器的
气敏性能获得了极大的提高。但是,在气敏机理的解释上,目前主流的氧吸附理
论虽然可以很好地解释通过增大接触面积、增加表面氧空位和活性吸附位点等方
法即改变表面状态以提高材料的敏感特性,但往往难以解释其对特定气体的选择
性机理。除改变表面氧空位和吸附位点外,改变气敏材料的表面官能团也
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