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《电子技术基础》自测题

一、填空题（30分）。

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带正电。

2、PN结具有_________特性。

3、三极管对外引出的电极分别是极、极和极。

4、使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为反馈。放大电路中常用的负反馈类型有电压串联负反馈、负反馈、负反馈和负反馈。

5、集成运算放大器具有同相和反相两个端，相应的输入方式有输入、

输入和双端输入三种。

二、判断题（10分）。

1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（）

2、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（）

3、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。（）

4、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。（）

5、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。（）

三、选择题（20分）。

1、稳压二极管的正常工作状态是（）。

A、导通状态；B、截止状态；

C、反向击穿状态；D、任意状态。

2、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。

A、多数载流子扩散；B、少数载流子扩散；

C、少数载流子漂移；D、多数载流子漂移。

3、测得某NPN型三极管的VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（）。

A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。

4、正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。

A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。

5、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）

A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；

C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。

6、理想运放的两个重要结论是（）。

A、虚短与虚地；B、虚断与虚短；C、断路与短路。

7、在本征半导体中掺入微量的5价元素，形成的杂质半导体中，其多数载流子是（）。

A.空穴B.自由电子C.正离子D.负离子

8、本征半导体电子浓度______空穴浓度，N型半导体的电子浓度______空穴浓度（）

A.等于、大于B.小于、等于C.等于、小于

9、送回放大器输入端信号是电流的反馈是（）。

A.电流反馈B.电压反馈C.并联反馈D.串联反馈

10、对于放大电路，所谓开环是指（）。

A.无信号源B.无反馈通路C.无电源D.无负载

四、简述题（30分）。

1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

2、集成运放的理想条件是什么。

3、简述反馈的定义和分类。

五、计算分析题（10分）。

如下图所示放大电路中，已知UCC=12V，RC＝3KΩ，RB＝240KΩ，β=60。求静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ。