TIAWBS-SiC MOSFET 阈值电压测试方法.pdf

ICS29.045（ICS国际标准分类号）

H80/84（中国标准文献分类）

团体标准

T/IAWBS×××-×××

代替T/IAWBS（替代号）

SiCMOSFET阈值电压测试

方法

SiCMOSFETthresholdvoltagetestmethod

草案

（本稿完成日期：）

××××-××-××发布××××-××-××实施

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布

T/IAWBSXXX—XXXX

目次

前  言II

引  言III

SiCMOSFET阈值电压测试方法范围1

1范围1

2规范性参考文件1

3术语和定义1

4仪器设备2

5测试原理2

6测试条件2

7测试方法2

7.1测试步骤2

7.2测试程序2

7.3测试结果4

8精密度4

9数据记录和处理4

10测试报告4

参考文献5

I

T/IAWBSXXX—XXXX

前  言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规

则》的规定起草。

请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的

责任。

本文件由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口。

本文件起草单位：瑶芯微电子（上海）有限责任公司，西安电子科技大学

本文件主要起草人：顾晓健，贾仁需，王贵豹，陈开宇，邓小川，张峰，李诚瞻

本文件为首次制定。

II

T/IAWBSXXX—XXXX

引  言

碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管(SiCMOSFET)为代表的宽禁带半导体器件突破

了传统Si器件的材料性能限制，具有高开关速度、低导通损耗、耐高温等性能优点，满足

了新一代电力电子应用对功率器件的需求，具有非常广阔的市场应用空间。对于平面型

SiCMOSFET器件，由于SiC/SiO高界面态密度导致了阈值电压漂移问题，而器件阈值电

2

压通常在3V左右，阈值电压的漂移极易造成器件误开启。此外，阈值电压漂移的差异性

会造成并行化效率降低，因此开展高阈值电压SiCMOSFET器件设计及其阈值电压稳定性

研究，对提高SiCMOSFET器件可靠性具有重要意义。