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摘要
摘要
金刚石是一种超宽带隙半导体材料，表现出优异的性能，如高杨氏模量、高硬度、
室温热导率和化学稳定性。因此，金刚石广泛应用在高功率、高频和高温电子设备、
深紫外发光二极管、光电探测器和辐射探测器，尤其是能够应用在恶劣环境中。掺杂
是材料形成半导体功率器件的一个基础技术问题。对于金刚石而言，高效半导体掺杂
及其机理研究是高质量金刚石材料的研究重点和亟待解决的瓶颈问题。金刚石的禁
带宽度为5.47eV，通过掺杂能够
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