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PAGEIV
摘要
本篇论文主要通过对可控硅的纵向参数、工艺参数、触发参数和横向参数等进行估算以及对阴极图形的设计，针对其动态参数与通态压降进行验算证明设计的合理性，来完成KP6000A/2500V普通可控硅的设计。最后在绘图软件上完成了掩模版图的绘制。
普通可控硅的设计是将所有电特性全部同一地表现在一个器件上，由于结构参数与电特性有着较为复杂的关系，因此设计上有许多种组合。通过中心放大门级，提高可控硅的di/dt耐压，采用短路点的设计提高dv/dt耐压。晶闸管的设计是以主要参数为目标，通过一定的设计方法，兼顾次要参数，即在其它次要特性参数“牺牲”最小的情况下，得到组合的“最佳”值
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