《GBT 41153-2021碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》必威体育精装版解读.pptx

《GB/T41153-2021碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法》必威体育精装版解读;目录;目录;目录;目录;目录;目录;目录;PART;现有检测方法的不足;标准的发布有助于规范碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定方法，提高材料的质量和性能。;PART;;;PART;硼杂质在碳化硅中作为受主存在，导致载流子寿命降低，影响器件性能。;铝杂质在碳化硅中引入深能级缺陷，影响材料的电学性能。;提高硬度;PART;;仪器构成;高灵敏度;PART;原理;利用二次离子质谱法可准确测定碳化硅单晶中硼、铝、氮等杂质元素的含量。;;PART;样品制备;;;PART;;预处理要求;PART;选择具有良好稳定性和可靠性的仪器，确保测试结果的准确性和重复性。;使用已知质量的标准物质对仪器进行质量校准，确保质量测量的准确性。;二次离子质谱仪的校准;;PART;硼在碳化硅中的存在形态、分布状态以及检测仪器的精度等。;;;PART;当高能离子束轰击样品表面时，样品表面的原子或分子被溅射出来。;影响因素;PART;;磁场偏转;定量分析;PART;;相对灵敏度因子是指不同元素或化合物在相同测量条件下，所产生的信号强度之比。;PART;;;;;PART;;重复性;PART;;仪器校准;;PART;碳化硅基体中的其它元素或化合物对铝的测定产生干扰。;;PART;;;;PART;最低检测限的定义;准确性的定义;PART;确保数据可靠性;样品制备;重复性验证的结果评估;PART;其他元素与硼、铝、氮具有相似的质量或化学性质，可能干扰其测定。;干扰实验;引入校正标准;PART;;;;PART;;;真空度对仪器维护的影响;PART;;轰击条件优化;PART;溅射能量越高，离子在样品中的穿透深度越大，溅射深度也相应增加。;离子源的种类、能量和束流密度等参数会影响二次离子的产生和收集效率。;;PART;;高分辨率质谱仪具有更高的灵敏度，能够检测到更低的杂质含量，从而提高测试的准确性。;仪器维护;PART;;;PART;样品污染;;;PART;样品制备过程中可能引入的污染和不均匀性会影响测定结果。;采用统计方法对测量数据进行处理，得到标准偏差和置信区间。;;PART;二次离子质谱法（SIMS）;;;PART;;;增强市场竞争力;PART;随着新能源汽车、5G通讯和电力电子等领域的发展，碳化硅单晶材料市场需求持续增长。;;PART;微量分析;;无需???杂处理;;PART;;;PART;硼杂质在碳化硅中会形成深受主能级，捕获电子并降低载流子迁移率。;影响导电类型;提高导电性能;PART;通过控制反应气体中的杂质含量，减少杂质在碳化硅晶体中的掺入。;;PART;原料中的硼、铝、氮等杂质含量对碳化硅单晶的纯度有很大影响。;;PART;原理介绍;仪器设备;;;PART;仪器校准自动化;智能识别与分析;PART;溅射能量越高，离子在样品中的穿透深度越大，溅射深度也相应增加。;;;PART;;;PART;与国际先进检测机构进行技术交流，分享碳化硅单晶杂质检测技术和经验。;学术会议;签订互认协议;PART;;二次离子质谱法具有高通量、高灵敏度的特点，检测速度相对较快。;潜在应用领域;PART;;;推动碳化硅单晶技术进步;PART;二次离子质谱法检测过程中不产生有害废物，对环境无污染。;二次离子质谱法作为先进技术，在杂质检测领域具有持续创新潜力。;PART;;;提升产品质量;PART;包括碳化硅单晶的基本性质、杂质对碳化硅单晶性能的影响、二次离子质谱法的基本原理等。;教材与资料;PART;核心技术专利;;PART;;;PART;;政府鼓励企业、高校和科研机构加大碳化硅单晶杂质检测技术的研发投入，提高技术水平。;政府监管部门应加强对碳化硅单晶杂质检测的监管，确保检测结果的准确性和公正性。;PART;《GB/T41153-2021》标准的重要性;;碳化硅单晶杂质检测技术的发展趋势;THANKS