tft三次作业及施展同学笔记二次.pptx

1 CHINASTAR OPTOELECTRONICSTECHNOLOGYTFT-LCD制程工艺阵列制程彩膜制程成盒制程模组制程

CHINASTAROPTOELECTRONICSTECHNOLOGY?阵列制程(Array)CompanyConfidentialVer.Donotcopyordistribute.Copyright2012CSOT

3工艺名称工艺目的溅射（SPUTTER)成Al膜、Cr膜和ITO膜P-CVD成a-Si膜、n+a-Si膜和SiNx膜PR?曝光形成光刻胶图案湿刻（WE)刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜干刻（DE)刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜剥离去掉残余的光刻胶

阵列各工程的说明

4图8初始放电和自续放电示意图阳极（+）阴极（-）E电子气体离子气体分子初期电子所谓Sputter是指利用借助电场加速的气体离子对靶材的轰击，从而使成膜材料从靶材转移到基板上的一种物理成膜方法。SPUTTER原理

5PCVD原理①电子和反映气体分子碰撞，产生大量的活性基；②活性基被吸附在基板上，或取代基板表面的H原子；③被吸附的原子在自身动能和基板温度的作用下，在基板表面迁移，选择能量最低的点安定；④同时，基板上的原子不断脱离周围原子的束缚，进入等离子体气氛中，所以达到动态的平衡；⑤不断的补充原料气体，使原子沉积速度大于原子逃逸速度，薄膜持续生长。图9PCVD成膜示意图

6PR?曝光原理Photoresist膜基板Photolithography工程Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ涂布曝光显影PR工程示意图

7曝光原理横倍率台形Ｍｉｒｒｏｒ凸面Ｍｉｒｒｏｒ凹面ＭｉｒｒｏｒＸ非线形Ｓｃａｎ光源ＣＣＤ弧状ＳｌｉｔＭａｓｋＦｌｙＥｙｅ曝光原理示意图

8湿刻原理■湿刻是通过对象材料（一般为金属导电膜）与刻蚀液之间的化学反应，对对象材料进行刻蚀的过程。■湿刻的过程刻蚀液在对象物质表面的移送阶段刻蚀过程中，刻蚀液不断被消耗，反应生成物不断生成，刻蚀对象周围形成浓度梯度，促使新的刻蚀液不断向刻蚀对象输送，并将反应生成物从其表面除去，从而使新的刻蚀液与对象物质接触。刻蚀液与对象物质的化学反应阶段指的是在对象物质表面，药液与刻蚀对象之间的化学反应过程。ＥｔｃｈｉｎｇＵｎｉｔ水洗Ｕｎｉｔ干燥Ｕｎｉｔ湿刻装置及原理示意图

9光刻胶膜①初期状态②膨润·界面浸透③溶解剥离原理：刻蚀（干刻、湿刻）完成后除去光刻胶的过程。剥离原理示意图

CHINASTAROPTOELECTRONICSTECHNOLOGY?彩膜制程(CF)CompanyConfidentialVer.Donotcopyordistribute.Copyright2012CSOT20

◆ColorFilter製法分類

◆ColorFilter製法比較

◆ColorFilter製程

CHINASTAROPTOELECTRONICSTECHNOLOGY?成盒制程（Cell）CompanyConfidentialVer.Donotcopyordistribute.Copyright2012CSOT

OPTOELECTRONICSTECHNOLOGY成盒制程——成盒工艺流程CHINASTAR在组合前先准备好彩膜基板及阵列基板彩膜基板1.PI涂布:PIInkjet方式2.PIPrebakeCuring阵列基板CompanyConfidentialVer.Donotcopyordistribute.Copyright2012CSOT

OPTOELECTRONICSTECHNOLOGY成盒制程——成盒工艺流程CHINASTARPI线目的及工艺流程?洗净基板表面,使其对配向膜具有良好的涂布性和浸润性,然后在Array基板和CF基板表面均匀的印刷一层配向膜并使之固化。下图为PI线的主要设备示意图。PI烧成炉N2INIRHeaterCompanyConfidentialVer.Donotcopyordistribute.Copyright2012CSOT

OPTOELECTRONICSTECHNOLOGY成盒制程——成盒工艺流程CHINASTARODF线目的及工艺流程?目的：在Array基板或CF基板的内部滴下液晶和封框胶，并贴合上述两种基板。下图为ODF线的主要设备示意图。CompanyConfidentialVer.Donotcopyor