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半导体芯片上的电感的结构及其制造方法--第1页
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN1182964A
(43)申请公布日1998.05.27
(21)申请号CX
(22)申请日1996.11.15
(71)申请人凌沛清(音译)
地址美国加利福尼亚
(72)发明人凌沛清(音译)
(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人王以平
(51)Int.CI
H01L43/00
H01L27/22
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
半导体芯片上的电感的结构及其制
造方法
(57)摘要
本发明公开了一种电感电路。该电
感电路是在包括衬底层和介质层的半导体
芯片上制作的。该电感电路包括被介质层
包围的、由高磁敏感的材料(HMSM)构成
的电感铁芯。包围电感铁芯的介质层又被
导电线环绕,所说导电线包括下导电线、在
半导体芯片上的电感的结构及其制造方法--第1页
半导体芯片上的电感的结构及其制造方法--第2页
穿过包围介质层的通路‘’中的导电线和上
导电线。利用IC工艺使所说导电线构图。
于是电感铁芯、包围电感铁芯的介质层、
和环绕导电线构成电感电路,电感电路形成
于包括衬底层和介质层的半导体芯片上。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
半导体芯片上的电感的结构及其制造方法--第2页
半导体芯片上的电感的结构及其制造方法--第3页
权利要求说明书
1一种在半导体芯片上制造的集成电路(IC)电感电。
电感线，利用在所述半导体芯片中穿过多层材料的多根通路连线，连接位于所述半
导体芯片中所述多层上的多条导电线，形成该电感线，于是在所述半导体芯片中形
成IC电感线圈；
位于多层上的所述电感线和所述多根通路连线是用IC工艺制作在所述半导体芯片
上的。
2如权利要求1所述的IC电感电路，还包括：
由高磁敏感材料(HMSM)构成的电感铁芯；及
所述IC电感线圈在所述电感铁芯附近，以导通其中的电感电流，以便在所述电感
铁芯中产生感应磁场。
3如权利要求2所述的集成电感电路，其特征在于：由所述IC工艺制造的所述电
感铁芯和所述IC电感线圈的线宽均为约1微米或以下。
4如权利要求1所述的集成电感电路，其特征在于：位于所述电感铁芯附近的所述
IC电感线圈是在所述电感铁芯的内部。
半导体芯片上的电感的结构及其制造方法--第3页
半导体芯片上的电感的结构及其制造方法--第4页
5如权利要求1所述的集成电感电路，其特征在于：位于所述电感铁芯附近的所述
IC电感线圈是在所述电感铁芯的外部。
6如权利要求4所述的集成电感电路，其特征在于：
位于所述电感铁芯内部的所述IC电感线圈包括位于所述电感铁芯内的中间层下表
面上的多根下电感线，和位于所述中间层上表面上的多根上电感线；及
所述多个通路连线还穿
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