GBT26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法.pdfVIP

ICS77.040.99

H17

中华人民共和国国家标准

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GBT260702010

化合物半导体抛光晶片亚表面

损伤的反射差分谱测试方法

Characterizationofsubsurfacedamaeinolished

gp

comoundsemiconductorwafersbreflectance

py

differencesectroscomethod

ppy

2011-01-10发布2011-10-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

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GBT260702010

前言

(//)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会SACTC203SC2归口

本标准由中国科学院半导体研究所负责起草。

:、、、。

本标准主要起草人陈涌海赵有文提刘旺王元立

Ⅰ

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GBT260702010

化合物半导体抛光晶片亚表面

损伤的反射差分谱测试方法

1范围

1.1本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。

、(、)

1.2本标准适用于GaAsInPGaPGaSb可参照进行等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的

测量。

2定义

2.1术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

2.1.1

亚表面损伤subsurfacedamae

g

、、,,

半导体晶体经切磨抛等工艺加工后在距离抛光片表面亚微米左右范围内晶体的部分完整性会

,(),、

受到破坏存在一个很薄厚度通常为几十到上百纳米的损伤层其中存在大量的位错晶格畸变等