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角度（角位移）檢測在伺服系統中測角（位移)的方法很多，常用的有電位計、差動變壓器、微同步器、自整角機、旋轉變壓器等，這裏介紹部分測角(位移)元件。差動變壓器和微同步器旋轉變壓器伺服控制基礎知識電力電子器件的應用不可控器件半控型器件全控型器件不可控器件二極體是一種不可控器件，其在電路中的圖形符號和伏安特性如圖2-1所示，二極體在電路中常用D表示。從伏安特性可見，當陽極電壓大於陰極電壓0.7V時二極體導通,當施加反向電壓值達到擊穿電壓時二極體被擊穿。利用二極體具有的單方嚮導電性，在電路中廣泛用作：整流、箝位、隔離和續流。變流電路中用於整流和續流的二極體是功率二極體。半控型器件晶閘管(SCR)雙向晶閘管(TRIAC)晶閘管(SCR)晶閘管的結構和符號晶閘管的工作原理晶閘管的伏安特性晶閘管的結構和符號

晶閘管是在半導體二極體、三極管之後出現的一種新型的大功率半導體器件它是一種可控制的矽整流元件，亦稱可控矽。晶閘管是由四層半導體構成的。圖2-2a)所示為螺栓形晶閘管的內部結構，它主要由單晶矽薄片P1，Nl，P2，N2四層半導體材料疊成，形成三個PN結。圖2-2b)和c)分別為其示意圖和表示符號。晶閘管的工作原理1)起始時若控制極不加電壓，則不論陽極加正向電壓還是反向電壓，晶閘管均不導通，這說明晶閘管具有正、反向阻斷能力。2)晶閘管的陽極和控制極同時加正向電壓時晶閘管才能導通，這是晶閘管導通必須同時具備的兩個條件。3)在晶閘管導通之後，其控制極就失去控制作用。欲使晶閘管恢復阻斷狀態，必須把陽極正向電壓降低到一定值(或斷開，或反向)。所以說晶閘管是控制導通而不控制關斷的半控器件。晶閘管的PN結可通過幾十至幾百安的電流，因此它是一種大功率的半導體器件，由於晶閘管導通時，相當於兩只三極管飽和導通，因此，陽極與陰極問的管壓降為1V左右，而電源電壓幾乎全部分配在負載電阻RL上。晶閘管的伏安特性晶閘管的陽極電壓與陽極電流的關係，稱為晶閘管的伏安特性，如圖2-3所示。雙向晶閘管(TRIAC)雙向晶閘管也稱雙向三極半導體開關元件(BidirectionalTriodeThyristor)，它和單向晶閘的區別是：第一，它在觸發之後是雙向導通的；第二，在門極中所加的觸發信號不管是正的還是負的都可以使雙向晶閘管導通。雙向晶閘管可看作由兩個單間晶閘管反向並聯組成。雙向晶閘管的特性和單向晶閘管的正向特性有點相近；只不過多了一個完全相同的反向特性而已，可見雙向晶閘管具有雙向導通及控制的性質。圖2-5中給出的是第一、三象限的伏安特性，在這兩個象限中，雙向晶閘管能夠實現最可靠觸發導通。而第二、四象限一般是不用於觸發工作。雙向晶閘管可以用作固態繼電器、過零開關等。作為交流開關它有很廣泛的應用。全控型器件變頻調速技術的發展同現代功率開關器件的研製與發展是密切相關的。由於晶閘管(SCR)和雙向晶閘管（TRIAC）元件不具備自關斷能力，且開關速度低，限制了常規晶閘管變頻器的性能與應用範圍。80年代以來，各種具備自關斷能力的全控型、高速型功率集成器件不斷研製成功，使得變頻器技術跨人了電力電子技術的新時代。這些器件有：可關斷晶閘管GTO、電力電晶體GTR、功率場控電晶體SIT、靜電感應晶閘管(SITH)，MOS晶閘管MCT及MOS電晶體MGT等。這些現代功率開關的問世，使電力電子技術由順變時代走入今天的逆變時代，各種各樣的PWM變頻電路在新型功率開關器件的支持下進人了機電一體化的實用領域。全控型器件即具備自關斷能力的半導體器件，可分為三大類型：雙極型、單極型和混合型。各種全控型器件的符號及等效電路見表2-1。雙極型器件可關斷晶閘管GTO(GateTurn-offThyristor)功率電晶體GTR(GiantTransistor)靜電感應晶閘管SITH(StaticlnductionThyristor)單極型器件功率場控電晶體(PowerMosfet)靜電感應電晶體SIT(StaticlnductionTransistor)混合型器件MOS門極電晶體MGT(MOSGateTransistor)絕緣門極電晶體IGBT(1nsulatedGateBipolar)MOS晶閘管MCT(MOS-CoutrolledThyristor)功率積體電路PIC(PowerIntegratedCircuit)檢測元件速