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本发明提供一种功率半导体芯片叠芯结构,用于功率半导体芯片的紧凑封装产品。叠芯结构中,底层芯片上表面的源极金属需要电气连接到顶层芯片下表面的漏极金属;底层芯片的上表面设置有源极连接金属区和漏极连接金属区;底层芯片的源极连接金属区与底层芯片内部的源极金属相连接;底层芯片的漏极连接金属区与底层芯片内部的漏极金属连接;底层芯片源极连接金属区与底层芯片漏极连接金属区在底层芯片表面间隔布置;绝缘层覆盖在源极连接金属区和漏极连接金属区表面;绝缘层上设置有源极连接金属区开窗和漏极连接金属区开窗;在叠芯区域,只设
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099129A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410329078.1
(22)申请日2024.03.21
(71)申请人珠海镓未来科技有
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