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2024-04-20 发布于四川
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本公开涉及一种电子设备，具体涉及一种第一e模式型HEMT功率晶体管的驱动器，该驱动器适用于接收第一e模式型HEMT功率晶体管的漏极与源极之间的650V的最大电压，电路被形成在表面覆盖有氮化镓层的单片半导体衬底的内部和顶部，并且包括至少一个第二e模式型晶体管，至少一个第二e模式型晶体管适用于将控制电压直接发送到第一晶体管的栅极并且具有大于5mm2的面积。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117913091A

(43)申请公布日2024.04.19

(21)申请号202311334109.4

(22)申请日2023.10.16

(30)优先权数据