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本申请涉及一种氧化镓肖特基二极管的建模方法、装置和电子设备，其中，该氧化镓肖特基二极管的建模方法包括：将氧化镓肖特基二极管等效于串联的理想二极管与第一目标电阻，并基于热电子发射扩散理论构建氧化镓肖特基二极管的正向电流模型，正向电流模型的参数包括反向饱和电流、理想因子和第一目标电阻；对氧化镓肖特基二极管进行I‑V特性测试，基于氧化镓肖特基二极管在未开启区域的I‑V特性确定反向饱和电流和理想因子，基于氧化镓肖特基二极管在线性区域的I‑V特性确定第一目标电阻，可以建立更加符合实际器件的正向电流模型。因
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117892672A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202410124763.0
(22)申请日2024.01.29
(71)申请人中国科学技术大学
地址2300
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