复合栅极纳米空气沟道晶体管结构及驱动方式.pdfVIP

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2024-04-17 发布于四川
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复合栅极纳米空气沟道晶体管结构及驱动方式.pdf

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本发明公开了复合栅极纳米空气沟道晶体管结构及驱动方式。复合栅极纳米空气沟道晶体管，包括器件依托的半导体基底、阴极、阳极，以及平面栅极等辅助电极、绝缘层组成的具有晶体管特性的纳米器件，在器件工作时将半导体基底施加栅极信号，使其实现背栅极的作用，与平面栅极共同作用形成复合型栅极，克服制作在半导体基底上的平面栅极纳米空气沟道晶体管在工作时基底接地对阴极表面电场的影响，降低栅极工作电压，提高栅极对阴极的调制能力。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117894848A

(43)申请公布日2024.04.16

(21)申请号202410087080.2

(22)申请日2024.01.22

(71)申请人东南大学

地址211189