炉管设备的清洗方法及半导体工艺方法.pdfVIP

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2024-04-13 发布于四川
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炉管设备的清洗方法及半导体工艺方法.pdf

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本发明提供一种炉管设备的清洗方法及半导体工艺方法，通过步骤S1：向反应腔内通入第一清洗气体以清洗反应腔，第一清洗气体为含氯气体，以去除反应腔内的钠离子、钾离子和氢离子，避免对后续的工艺造成污染；步骤S2：使反应腔内的压力处于第一预设压力并向反应腔内通入第二清洗气体；步骤S3：将反应腔内的压力降低至第二预设压力；步骤S4：将反应腔内的压力提高至第三预设压力并向反应腔内通入第二清洗气体，第三预设压力小于第一预设压力；步骤S5：重复执行步骤S3和步骤S4以清除反应腔内的第一清洗气体。在去除第一清洗气体

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117862147A

(43)申请公布日2024.04.12

(21)申请号202410274910.2

(22)申请日2024.03.12

(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司

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