一种铁电半导体器件的制备方法及铁电半导体器件.pdfVIP

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2024-04-13 发布于四川
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一种铁电半导体器件的制备方法及铁电半导体器件.pdf

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本发明公开了一种铁电半导体器件的制备方法及铁电半导体器件，涉及3DNAND闪存技术领域，用于提供一种数据存储可靠性高的存储器件。包括以下步骤：提供基底。在基底上交替沉积多层栅极材料层和多层支撑层，形成第一叠层结构。在第一叠层结构中形成通道孔结构，并在通道孔结构中填充多晶硅材料，得到第二叠层结构。在第二叠层结构的两侧形成对称的第一台阶结构和第二台阶结构。沿第一台阶结构至第二台阶结构的方向，在第二叠层结构中形成贯穿第二叠层结构的裂缝结构，得到第三叠层结构。去除第三叠层结构中的支撑层，并在第三叠层结

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117877985A

(43)申请公布日2024.04.12

(21)申请号202311674582.7

(22)申请日2023.12.07

(71)申请人湖南大学

地址410082