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本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底，位于所述基底的第一侧表面的第一电接触层；位于基底中的第一布线层、第二布线层和第三布线层，第三布线层与第二布线层之间通过第三导电通孔连接，第二布线层和第一布线层之间通过第二导电通孔连接，第一布线层和第一电接触层通过第一导电通孔连接；其中，第一导电通孔、第二导电通孔以及第三导电通孔中的至少两者在第一侧表面上的正投影不重叠或部分重叠。本公开实施例至少有利于提高半导体结构的结构稳定性，以及提高半导体结构的电学性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117878092A
(43)申请公布日2024.04.12
(21)申请号202211240541.2
(22)申请日2022.10.11
(71)申请人联华电子股份有限公司
地址中国台
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