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本发明公开了一种高浪涌VDMOS器件结构及其制作方法。该方法包括提供第一导电类型的衬底，并在衬底上制作外延层；通过Ring注入工艺形成设置在终端区的第一Ring结构和设置在元胞位置中部的第二Ring结构；对第二Ring结构及其四周的外延层内和场氧层外侧的外延层内注入第二导电类型的元素，然后通过推阱形成第一掺杂区，有源区内的第一掺杂区与第二Ring结构融为一体，以形成呈倒置凸型状的体区。本发明在不影响导通电阻的同时，加深P‑N结结深，从而使雪崩击穿点位置转移到元胞内，提高器件反向浪涌能力；本发明采
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832094A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202410239808.9
(22)申请日2024.03.04
(71)申请人南京华瑞微集成电路有限公司
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