一种提高二类超晶格大面阵红外探测器倒焊精度的方法.pdfVIP

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2024-04-06 发布于四川
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一种提高二类超晶格大面阵红外探测器倒焊精度的方法.pdf

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本发明提供了一种提高二类超晶格大面阵红外探测器倒焊精度的方法，属于红外探测器技术领域；解决了超大规模红外探测器小间距铟柱容易压连导致倒装互连难度增加的问题；包括如下步骤：制备焦平面探测器芯片；在读出电路生长对应于探测器芯片上铟柱阵列数量的围墙，在围墙内生长铟柱；对倒焊前的探测器芯片进行清洗、镜检且对探测器芯片的背面进行擦拭；进行倒焊工艺的调平和校准，将探测器芯片上的铟柱与读出电路上的铟柱一一对准进行压焊；本发明应用于红外探测器倒焊互连。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117832245A

(43)申请公布日2024.04.05

(21)申请号202410254744.XB23K37/00(2006.01)