一种多芯片IGBT模块热安全运行域刻画方法.pdfVIP

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2024-03-30 发布于四川
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一种多芯片IGBT模块热安全运行域刻画方法.pdf

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本发明公开了一种多芯片IGBT模块热安全运行域刻画方法，首先，在ANSYSQ3D中建立IGBT模块的杂散电感提取模型，得到内部DBC布局的杂散电感矩阵；其次，分析IGBT瞬态开通过程中电流分布不均匀的机理，建立IGBT模块内部各芯片开通损耗的不均匀模型；在COMSOL中建立IGBT模块热阻提取的有限元热模型，得到不同散热条件下各芯片的热阻，包括自热阻和耦合热阻。基于仿真得到的热阻数据，拟合得到IGBT模块内部芯片的热阻网络随散热性能变化的解析模型；最后，在MATLAB脚本中编写多芯片IGBT模

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113536627A

(43)申请公布日2021.10.22

(21)申请号202110726846.3

(22)申请日2021.06.29

(71)申请人西安交通大学

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