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2024-03-30 发布于四川
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一种IBC电池单晶硅及其碱抛光刻蚀添加剂、刻蚀液与刻蚀方法.pdf

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本发明公开了一种IBC电池单晶硅及其碱抛光刻蚀添加剂、刻蚀液与刻蚀方法，属于单晶硅刻蚀技术领域。上述添加剂的原料包括0.5‑2%的水杨酸、0.1‑0.3%的2‑膦酸丁烷‑1,2,4‑三羧酸、0.1‑0.3%的葡萄糖内酯、0.1‑0.2%的羟基乙叉二磷酸、0.03‑0.1%的聚乙烯吡咯烷酮、0.5‑2%的苹果酸等。相应的碱抛光刻蚀液用于对原单晶硅片的表面进行抛光刻蚀，可使硅片表面腐蚀出金字塔塔基的形状，提高硅片的比表面积，有利于气相沉积的氮化硅与硅片的附着力，降低载流子的复合，提高少子的寿命，间接

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117777863A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202311791181.X

(22)申请日2023.12.25

(71)申请人江苏艾森半导体材料股份有限公司

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