一种适用于高温环境的氧化镓器件欧姆接触制造方法.pdfVIP

下载本文档

16
0
约2.57万字
约 15页
2024-03-09 发布于四川
举报
版权申诉

一种适用于高温环境的氧化镓器件欧姆接触制造方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种适用于高温环境的氧化镓器件欧姆接触制造方法，涉及半导体技术领域。其中，此方法包括：对高掺氧化镓单晶衬底表面进行重离子辐照，形成具有导电通道的重离子辐照层，在具有导电通道的重离子辐照层的样品表面依次沉积底层欧姆金属和顶层欧姆金属后，进行快速热退火形成氧化镓欧姆接触。本发明技术方案对高掺氧化镓单晶衬底进行重离子辐照，使高掺氧化镓单晶衬底表面产生大量由晶格损伤引起的有极高热稳定性的导电通道，以实现欧姆接触；此外，采用的底层欧姆金属具有高熔点且其氧化物自由能高于氧化镓，避免在高温下与氧化镓

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117672867A

(43)申请公布日2024.03.08

(21)申请号202311666702.9

(22)申请日2023.12.06

(71)申请人西安电子科技大学

地址7100