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本发明公开一种太阳能电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，以使异质结太阳能电池中形成有异质接触结构的一侧具有良好的光学性能和电学性能。太阳能电池包括：硅基底、第一本征钝化层、第一掺杂半导体层和第一电极。第一本征钝化层和第一掺杂半导体层依次层叠设置在硅基底的向光面和/或背光面一侧。第一掺杂半导体层由导电类型相同的第一掺杂部和第二掺杂部构成，第二掺杂部的结晶度大于第一掺杂部的结晶度，第二掺杂部的厚度小于等于第一掺杂半导体层的厚度。第一电极位于第一掺杂半导体层背离第一本征钝化层的一侧。第一掺杂半导体层中
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117558778A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311443285.1
(22)申请日2023.11.01
(71)申请人隆基绿能科技股份
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