一种晶圆刻蚀方法及晶圆.pdfVIP

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2024-01-20 发布于四川
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一种晶圆刻蚀方法及晶圆.pdf

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本申请公开了一种晶圆刻蚀方法及晶圆，该方法在晶圆上形成硬掩膜，在硬掩膜上刻蚀出使晶圆暴露的第一区域。接着在硬掩膜、晶圆上依次刻蚀出使晶圆暴露的第二区域。最后在晶圆上沿着第一区域垂直向下刻蚀出第一沟槽，以及沿着第二区域垂直向下刻蚀出第二沟槽，得到加工有第一沟槽、第二沟槽的晶圆。本申请提供的晶圆刻蚀方法，在预留出第一沟槽刻蚀区域的硬掩膜上先对晶圆进行一定深度的第一次刻蚀，然后在第二次刻蚀中直接形成线宽尺寸不同且深度相同的两种沟槽。本申请技术方案可以将尺寸不同的复杂的图形制备在同一晶圆上，减少开发的晶

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117416925A

(43)申请公布日2024.01.19

(21)申请号202311600034.X

(22)申请日2023.11.28

(71)申请人赛莱克斯微系统科技（北京）有限公