单晶硅中子匀照装置及其使用方法.pdfVIP

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2024-01-17 发布于四川
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单晶硅中子匀照装置及其使用方法.pdf

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本发明提供了一种单晶硅中子匀照装置及其使用方法，单晶硅中子匀照装置包括结构体、涂层吸收体、多个水槽和多个吊装组件，涂层吸收体涂覆在结构体的外壁面的中间区域，水槽开设在结构体的外壁面上，且分别位于对应涂层吸收体的两端，吊装组件分别安装在结构体的顶部，用于和外部驱动机构连接，实现结构体上下移动；涂层吸收体、水槽和结构体分别具有不同的中子吸收截面的材料，使得涂层吸收体、水槽和结构体具有轴向不同的中子吸收能力。本发明通过上下移动占用空间小、重量轻的中子屏，有效控制大尺寸中子辐照掺杂单晶硅在核反应堆整个运

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117403329A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202311361524.9G21K5/10(2006.01)

(22)申请日2023.10.1