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本发明公开了一种针对半导体行业产生的废硫酸深度提纯的方法，属于半导体行业废硫酸回收综合利用技术领域。首先将废硫酸通入过氧化氢脱除系统，在加热的条件下，加入催化剂促进废硫酸中过氧化氢的分解，同时在催化剂和过氧化氢的协同作用下，促使废硫酸中的金属杂质形成中间氧化产物，有利于后续树脂的吸附除杂过程；将废硫酸经过树脂除杂后，最后将除杂完成后的硫酸通入蒸发浓缩系统，在100~200℃的条件下浓缩3‑6h，得到高纯硫酸产品。该方法不但能够对废硫酸进行深度提纯，而且通过该方法不会引入新的杂质，对环境不会产生二
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117401653A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311275335.X
(22)申请日2023.09.28
(71)申请人湖北兴福电子材料股份有限公司
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