薄膜制备方法以及提升薄膜抑制电迁移能力的方法.pdfVIP

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2024-01-06 发布于四川
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薄膜制备方法以及提升薄膜抑制电迁移能力的方法.pdf

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本发明提供了一种薄膜制备方法以及提升薄膜抑制电迁移能力的方法，通过采用分多段执行的薄膜生长工艺，在分段执行的所述薄膜生长工艺的间隙，停止主反应气体，并执行等离子体处理工艺，以使形成的氮掺杂碳化硅薄膜分层并出现多层致密的界面。所述界面能够抑制电子以及金属原子在所述氮掺杂碳化硅薄膜内部的移动，当将所述包含多层界面的所述氮掺杂碳化硅薄膜作为介质阻挡层时，能够更好地阻止金属离子向介质层扩散，抑制金属电迁移，避免金属导体介质因金属电迁移导致的短路以及断路问题。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117352370A

(43)申请公布日2024.01.05

(21)申请号202311295319.7

(22)申请日2023.10.08

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

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