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VLSI热载流子退化的嵌入式测试技术研究的开题报告

一、选题背景和意义

随着半导体制造工艺的不断发展，集成度不断提高，集成电路的系统规模越来越大，同时在高端应用如军工、航天等领域，芯片还需要保持高可靠性和高稳定性。这要求VLSI芯片的设计、制造和测试技术具有更高的可靠性和精确性，以确保芯片的正常工作并避免电路元件故障。

其中一个重要的方面是测试技术，特别是针对芯片热载流子退化（hotcarrierdegradation,HCD）的嵌入式测试技术。HCD是由于电路中高电压和高电场对载流子的影响导致，易导致芯片性能衰退和故障。HCD问题严重影响芯片的使用寿命和可靠性。因此，研究HCD的嵌入式测试技术，可以提高集成电路的可靠性，减少故障率，提高芯片的工作效率和寿命。

二、研究内容和方法

本文主要研究VLSI芯片热载流子退化的嵌入式测试技术，包括以下几个方面：

1.热载流子退化现象及特点分析：介绍热载流子退化的概念、特征和影响，分析其对芯片性能的影响及表现，并对其成因进行分析和研究。

2.嵌入式测试技术原理和方法：介绍嵌入式测试技术的基本原理和方法，包括扫描链、Built-InSelf-Test(BIST)、On-ChipDebug(OCD)、IEEE1149.1标准等方面的内容，分析其在芯片测试中的优势和适用范围。

3.HCD嵌入式测试方案设计：针对HCD的特点和测试需求，设计合适的测试方案和方法，重点考虑测试方案的可靠性、灵敏度、精确度以及测试所需时间等因素。

4.实验及分析：通过实验验证设计的测试方案，对测试数据进行收集、分析和处理，得出测试结果及分析结论，以指导后续的VLSI芯片设计和测试工作。

三、预期结果和意义

本研究旨在针对VLSI芯片热载流子退化的特性和测试需求，研究和设计一种可靠、高效的嵌入式测试方案。通过实验验证和数据分析，评估测试方案的可行性和有效性，以指导后续的芯片设计和测试工作，提高VLSI芯片的可靠性和稳定性，降低成本和风险，并促进VLSI技术的发展和应用。