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一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括衬底以及位于衬底上多个分立的沟道凸起结构；栅极结构，位于衬底上且横跨沟道凸起结构；栅极侧墙，位于栅极结构侧壁，且栅极侧墙与沟道凸起结构的顶部和侧壁相接触；源漏掺杂区，位于栅极结构两侧的沟道凸起结构内。本发明实施例栅极侧墙与沟道凸起结构的顶部和侧壁相接触，这降低了在栅极侧墙和沟道凸起结构之间形成缝隙的概率，相应降低了栅极结构的材料还位于栅极侧墙和沟道凸起结构之间的概率，从而增大了栅极结构与源漏掺杂区之间的距离，相应地，栅极结构与源漏掺杂区之间的寄生电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117316950A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202210719255.8
(22)申请日2022.06.23
(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限
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