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本发明涉及光通信领域，特别是涉及一种高速外调激光器芯片和制备方法，芯片包括位于同一衬底和同一第一包覆层上的调制器模块和激光器模块，所述激光器模块包括第一限制层、第一多量子阱结构和第二限制层；所述调制器模块包括第三限制层、第二多量子阱结构和第四限制层；所述第一限制层与所述第三限制层对接，所述第一多量子阱结构与所述第二多量子阱结构对接，所述第二限制层与所述第四限制层对接；在所述第一多量子阱结构和所述第二多量子阱结构的周围掩埋生长扩散阻挡层。本发明在芯片的多量子阱结构周围掩埋生长扩散阻挡层，扩散阻挡层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117317809A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202210722034.6
(22)申请日2022.06.24
(71)申请人武汉光迅科技股份有限公司
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