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一种基于半导体的电容器可以包括：衬底，该衬底包括半导体材料；氧化层，该氧化层形成在衬底上；导电层，该导电层形成在氧化层的至少一部分上；多个不同的共面上端子；以及下端子。该多个上端子和下端子可以分别沿衬底的顶表面和底表面暴露，以用于将电容器嵌入到衬底(例如电路板)中。基于半导体的电容器可以足够小型化以嵌入到电路板内，同时在不损害电容器完整性的情况下提供更好的电容值。例如，该多个上端子中的每个上端子可以具有最大宽度和正交于该最大宽度的厚度，并且该宽度与该厚度之比可以大于约80∶1，以防止电容器因翘曲
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117321774A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202280035166.X(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理
(22)申请日2022.05.
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