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提供能以高的精度检测半导体晶片的温度的温度检测装置。控制器在将光检测器中测定的光的光谱归一化时，将相当于绝对零度下的半导体的带隙能量的波长设为极小波长，将与极小波长相比短波长区域中的光强度的最小值确定为极小值，将相当于设想为温度测定范围的最高温度下的半导体的带隙能量与热能的差的波长设为第1最大波长，将从与第1最大波长相比短波长区域中的光强度的最大值取极小值的差分而得到的值确定为极大值，通过在对所测定的光的光谱进行与极小值的差分处理的基础上除以极大值，来进行归一化。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117321747A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202280005594.8(51)Int.Cl.
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