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2023-12-13 发布于四川
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一种集成电路(IC)器件包括：栅极沟槽，形成在衬底内部，栅极沟槽包括底部和侧壁部分；栅电极结构，与栅极沟槽的底部和侧壁部分间隔设置，栅电极结构包括栅电极和栅极封盖层，栅电极包括第一子栅电极和第二子栅电极，第一子栅电极形成在栅极沟槽的下部中，第二子栅电极形成在第一子栅电极上，栅极封盖层形成在第二子栅电极上；以及栅极绝缘层，形成在栅极沟槽和栅电极结构之间，栅极绝缘层包括基底绝缘层和增强绝缘层，基底绝缘层形成在栅极沟槽的底部和侧壁部分与栅电极结构之间，增强绝缘层形成在第二子栅电极的侧壁部分上。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117222225A

(43)申请公布日2023.12.12

(21)申请号202310600011.2

(22)申请日2023.05.25

(30)优先权数据

10-2022-0071029