双栅SGT半导体器件的制造方法.pdfVIP

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2023-11-08 发布于四川
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双栅SGT半导体器件的制造方法.pdf

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本发明公开了一种双栅SGT半导体器件的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底的选定区域中形成一个以上的第一沟槽，在第一沟槽中形成栅介质层和栅极导电材料层。步骤二、形成体区。步骤三、形成源区。步骤四、形成层间膜。步骤五、形成屏蔽栅，包括：步骤51、依次对第二沟槽的形成区域中层间膜和半导体衬底进行刻蚀形成第二沟槽，第二沟槽位于各第一沟槽的两侧；第二沟槽的位于半导体衬底中的深度大于所述第一沟槽的深度。步骤52、在第二沟槽的内侧表面形成屏蔽介质层。步骤53、在第二沟槽中填充金属形成屏蔽栅场板。本发明能在对

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117012645 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202310829840.8 (22)申请日 2023.07.07 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地