像素结构及制备方法、图像传感器、电子设备.pdfVIP

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2023-10-25 发布于四川
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像素结构及制备方法、图像传感器、电子设备.pdf

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本发明提供一种像素结构及制备方法、图像传感器、电子设备，像素结构包括半导体衬底、设置半导体衬底中的光电转换区及浮动扩散区、传输门电极及电场调制结构。本发明的像素结构设计中，在传输控制门电极与浮动扩散区之间形成电场调制结构，可以基于设置的电场调制结构对传输控制门电极与浮动扩散区之间形成的电场进行调制；另外，当电荷传输晶体管的栅极与漂浮扩散有源区之间构成高电势差时，可以减小或降低的是栅极与漂浮扩散有源区交叠区的电场强度，从而减小栅极诱导漏电(GIDL)，改善CIS图像白点坏像素的问题，提高CIS的图

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116936582 A (43)申请公布日 2023.10.24 (21)申请号 202210332958.5 (22)申请日 2022.03.31 (71)申请人思特威（上海）电子科技股份有限公