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实施方式提供一种能够容易地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:多个存储块(BLK),排列在第1方向(Y)上;以及多个位线(BL),在第1方向上延伸,排列在第2方向(X)上,且与多个存储块排列在第3方向(Z)上。多个存储块分别具备:多个第1导电层(110),排列在第3方向上;第2导电层(112),相对于多个第1导电层设置在与第3方向的多个位线(BL)相反的一侧;多个半导体层(120),在第3方向上延伸,与多个第1导电层对向,第3方向上的一端电连接于第2导电层,第3方向上的另一端电连
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116867273 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202211005761.7 (22)申请日 2022.08.22 (30)优先权数据 2022-048390 202
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