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2023-10-11 发布于四川
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半导体存储装置具备多个导电层、与多个导电层对向的半导体层、及设置于它们之间的栅极绝缘膜。当将第1导电层的第1方向上的一侧的面所对应的位置设为第1位置，将第1导电层的第1方向上的另一侧的面所对应的位置设为第2位置，将第1位置及第2位置的中间位置设为第3位置，将第2导电层的第1方向上的一侧的面所对应的位置设为第4位置，将第2导电层的第1方向上的另一侧的面所对应的位置设为第5位置，将第4位置及第5位置的中间位置设为第6位置，将第1～6位置处的半导体层的与第1方向交叉的第2方向上的长度分别设为第1～6长

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116867275 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202210932231.0 (22)申请日 2022.08.04 (30)优先权数据 2022-047652 202