测试结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-10-11 发布于四川
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测试结构及其制造方法.pdf

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本公开提供一种测试结构及其制造方法，该测试结构包括：基底；晶体管，形成于基底上，晶体管包括栅极结构；多个金属层，位于晶体管的上方，包括顶层金属层；以及栅极焊盘和天线结构，形成于顶层金属层，通过所述多个金属层以及位于所述多个金属层的相邻金属层之间的导电插塞与晶体管的栅极结构电连接。该天线结构收集顶层金属制造时产生的游离电荷，将游离电荷传到栅极焊盘，栅极焊盘电荷累积达到一定程度后对该栅极结构造成损伤。该栅极结构中包括栅氧化层。通过对该栅极结构的损伤进行电性检测，就可以判断出顶层金属制造时的等离子体诱

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116864487 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202210312165.7 (22)申请日 2022.03.28 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 23