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本发明公开了一种改善芯片分层的微流控芯片制备方法,包括如下步骤:在所述衬底上沉积导电层;利用光刻法对所述导电层进行图形化,并配合干法蚀刻或者湿法腐蚀得到驱动电极;在图形化后的所述导电层上沉积有机层;利用半导体工艺在所述有机层的表面生长一层无机材料;在所述无机材料上涂覆疏水层;其中,所述无机材料能够阻隔工作环境中载体油的渗入。本发明利用了不同材料之间的特点,改善了不同材料之间的接触面积,利用过渡材料的特性,使两种粘附性差的材料能够更好的粘接,规避了相似相溶的特性,减少了载体油渗透作用。经过上述方法
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116832885 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202310782652.4 (22)申请日 2023.06.29 (71)申请人 北京机械设备研究所 地址 100
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