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本发明公开了一种合金薄膜压敏芯片及其制备方法，该芯片包括基底，在基底上依次设有缓冲层、绝缘层、氧化硅层、功能材料层和保护层，绝缘层为氧化铝和氧化硅的混合膜。其制备方法包括依次在基底上制备缓冲层、绝缘层、氧化硅层、功能材料层和保护层。本发明中，以由氧化铝和氧化硅混合而得薄膜作为绝缘层，不仅能够提升芯片的介质耐电压能力，而且能够提高芯片的稳定性，具有介质耐电压能力强、结构稳定性好等优点，同时还具有精度高、温漂小等优点，达到了国际先进水平，在恶劣环境中适应性非常好，可以满足高铁、航天等领域更高的应用要
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116839765 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202310802246.X C23C 14/35 (2006.01)
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