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本发明提供了一种P型碳化硅晶片的加工方法，加工方法包括如下步骤：(1)对P型碳化硅单晶进行切割，得到多个晶片；(2)将每个晶片分别进行研磨和抛光，得到所述P型碳化硅晶片；其中，所述抛光包括第一阶段抛光和第二阶段抛光，所述第一阶段抛光所用的抛光液为包含氧化铝的抛光液，所述第二阶段抛光所用的抛光液为包含氧化硅的抛光液。采用该加工方法对P型碳化硅晶片进行加工，不易出现加工缺陷，且能够得到表面粗糙度较小的P型碳化硅晶片。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116811043 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310819157.6 (22)申请日 2023.07.05 (71)申请人 北京晶格领域半导体有限公司 地址
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