半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括衬底、设置在衬底上的鳍基底、设置在鳍基底的第一部分上的纳米结构沟道区的堆叠件、围绕纳米结构沟道区的栅极结构、设置在鳍基底的第二部分上的源极/漏极(S/D)区、设置在S/D区和鳍基底之间的空气间隔件、以及介电层，介电层设置在空气间隔件和鳍基底之间。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825809 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310683090.8 H01L 29/78 (2006.01)