一种双核壳层结构钙钛矿半导体单晶及其制备方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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一种双核壳层结构钙钛矿半导体单晶及其制备方法.pdf

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本发明属于光电器件技术领域，具体为一种双核壳层结构钙钛矿半导体单晶及其制备方法。本发明制备方法包括：内核钙钛矿前驱体溶液制备和内核钙钛矿晶体制备，外壳钙钛矿的前驱体溶液制备和壳层结构钙钛矿单晶制备。核壳结构的钙钛矿单晶生长过程中是以内核晶体作为晶种提供了外壳晶体生长的位点，这种方式制备的壳层结构单晶将与纯相单晶具有明显性能差异；本发明制备的半导体单晶可用于制备X射线光电探测器，该X射线光电探测器表现出优异的X射线响应特性，相比于其单层结构，灵敏度因子由0.017提升至2.66，提升150倍以上。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116815326 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310743828.5 (22)申请日 2023.06.23 (71)申请人复旦大学地址 200433