垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法.pdf

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本发明公开一种垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法，包括基底、外延柱体、环形沟槽、填充层、钝化层、氧化孔与电极，外延柱体设置于基底之上，外延柱体上方设置环形沟槽形成由环形沟槽围绕的“孤岛”波导区；环形沟槽内部填充有填充层；所述电极包括P面电极、N面电极与相连电极；所述P面电极设置于“孤岛”波导区上方，并与环形沟槽及其内部填充的填充层呈同心圆环；所述N面电极设置于基底上方并毗邻于外延柱体；所述相连电极与外延柱体通过钝化层隔离，并在钝化层开窗处与P面电极形成电连接；P面电极与环形沟槽、氧化孔的圆心重合

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116826517 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310711994.7 (22)申请日 2023.06.15 (71)申请人闽都创新实验室