半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-09-27 发布于四川
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半导体器件及其制作方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其制作方法，其中，制作方法包括：提供基板，首次先后植入锗离子和N型掺杂离子于P型阱层的表层并沿基板的厚度方向延伸，形成N型轻掺杂层；刻蚀形成字线沟槽；在所述字线沟槽的表面形成栅极绝缘氧化层；沉积金属于所述字线沟槽以形成栅极金属层，沉积介电隔离层覆盖基板的上表面，并刻蚀介电隔离层以露出漏极区域的表面；再次先后植入锗离子和N型掺杂离子于漏极区域，并沿P型硅衬底部的厚度方向延伸至所述P型阱层的表层中，以使漏极区域的深度大于源极区域的深度；以及制作字线金属层。实施本发明，能够在

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108565263 A (43)申请公布日 2018.09.21 (21)申请号 20181