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一种形成光刻对准标记的方法和半导体器件，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括对准标记区和有效器件区；执行第一光刻工艺，在半导体衬底的对准标记区中形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极结构；形成覆盖半导体衬底和栅极结构的层间介质层；执行第二光刻工艺，在层间介质层中形成连接栅极结构的接触孔；形成填充接触孔的接触孔金属层，接触孔金属层表面形成有位于接触孔上方的第一凹槽；沉积覆盖接触孔金属层的顶部金属层，顶部金属层表面形成有位于第一凹槽上方的第二凹槽；以第二凹槽作为光刻对准标记，对顶部金属层执行第三光
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116759298 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202310626493.9 (22)申请日 2023.05.30 (71)申请人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公
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